4月13日，第十(shi)七屆中國高校電(dian)力電(dian)子(zi)與(yu)電(dian)力傳(chuan)動(dong)學(xue)(xue)術(shu)年會(hui)（SPEED 2024）在安徽宣城舉辦。SPEED 2024由合肥工(gong)業(ye)大學(xue)(xue)電(dian)氣與(yu)自動(dong)化工(gong)程學(xue)(xue)院承辦，作(zuo)為(wei)國內高等院校電(dian)力電(dian)子(zi)與(yu)電(dian)力傳(chuan)動(dong)學(xue)(xue)科(ke)最重要(yao)的學(xue)(xue)術(shu)論(lun)壇之(zhi)一(yi)，吸引了近(jin)千名(ming)(ming)業(ye)界(jie)著名(ming)(ming)專(zhuan)家(jia)學(xue)(xue)者、高校師生(sheng)，以及業(ye)內知名(ming)(ming)企業(ye)的積極參(can)(can)與(yu)。作(zuo)為(wei)新(xin)能源產業(ye)鏈核心(xin)器件(jian)和(he)創(chuang)新(xin)技術(shu)型企業(ye)，賽晶亞太半(ban)導體(ti)科(ke)技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶半(ban)導體(ti)）受邀(yao)參(can)(can)會(hui)。

展覽中，賽晶(jing)半導體(ti)自主研發IGBT、SiC芯片及模塊(kuai)引發眾多專(zhuan)家(jia)學者(zhe)、高(gao)校師生熱烈關注和深入交流(liu)，并受到了與會技術專(zhuan)家(jia)和客戶的高(gao)度關注和熱烈反(fan)響。

賽晶i20系(xi)(xi)列IGBT芯(xin)(xin)片組（1200V、1700V）1700V是(shi)IGBT的(de)(de)主(zhu)流電壓等級之一，廣泛應用(yong)(yong)于風力發電、無功補償（SVG）、智能電網，以及中高壓變頻器等領域(yu)。賽晶i20系(xi)(xi)列1700V IGBT芯(xin)(xin)片組，基于經典的(de)(de)溝槽柵及場截(jie)止(zhi)芯(xin)(xin)片結構(gou)，并采用(yong)(yong)了(le)窄(zhai)臺面(mian)、優化(hua)N-型(xing)增(zeng)強層、短溝道、3D結構(gou)、優化(hua)P+層等多(duo)項行業前沿理(li)念的(de)(de)優化(hua)設計(ji)，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓(zhuo)越的(de)(de)芯(xin)(xin)片性能，代表了(le)國內同類芯(xin)(xin)片技術的(de)(de)最(zui)高水平。

 賽晶ST封(feng)(feng)裝(zhuang)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)（1200V、1700V）ST封(feng)(feng)裝(zhuang)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)采(cai)用行業標準外形設計（62mm），具有極(ji)佳的通用性，是(shi)工(gong)業級(ji)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)中的主流型號(hao)之一。特(te)別(bie)是(shi)在光伏(fu)發電(dian)、低(di)壓變頻(pin)器、UPS電(dian)源、電(dian)機驅(qu)動、數控機床等領(ling)域，ST封(feng)(feng)裝(zhuang)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)具有廣(guang)泛的市場需求。作(zuo)為賽晶打造精品國產(chan)(chan)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)戰略的最新(xin)成果。ST封(feng)(feng)裝(zhuang)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)采(cai)用優化布局(ju)、三維信號(hao)傳輸等創新(xin)設計（已申請專利）實現了(le)出色的模(mo)塊(kuai)(kuai)性能：同類產(chan)(chan)品中最低(di)的內(nei)部熱阻(zu)、連接阻(zu)抗、內(nei)部雜散電(dian)感等。

賽晶HEEV封裝(zhuang)SiC模(mo)塊（1200V）HEEV封裝(zhuang)SiC模(mo)塊為電(dian)(dian)動(dong)汽(qi)車(che)應用量身定做，導通(tong)阻(zu)抗低至(zhi)2.0mΩ（@25℃），可用于高達250kW電(dian)(dian)驅系統，并滿(man)足電(dian)(dian)動(dong)汽(qi)車(che)驅動(dong)系統對高功(gong)率(lv)(lv)、小型化和高可靠性功(gong)率(lv)(lv)的需求。

賽晶EVD封(feng)(feng)裝(zhuang)SiC模塊（1200V）EVD封(feng)(feng)裝(zhuang)SiC模塊采(cai)用(yong)(yong)乘(cheng)用(yong)(yong)車(che)領域普遍采(cai)用(yong)(yong)的全橋封(feng)(feng)裝(zhuang)。通過內(nei)部優化設計，具有出色(se)的性(xing)能表現。與業界頭部企業相同規(gui)格封(feng)(feng)裝(zhuang)模塊對比，賽晶EVD封(feng)(feng)裝(zhuang)SiC模塊的導通電阻低10%至30%，連(lian)接阻抗低33%，開關(guan)(guan)損耗相近或者更低（相同開關(guan)(guan)速度）。

不僅(jin)如(ru)此，賽(sai)晶(jing)半導(dao)體首款引(yin)以(yi)為傲IGBT產(chan)品-ED封裝IGBT模塊，以(yi)及(ji)EV封裝IGBT模塊，同樣引(yin)發了廣泛關注。充分(fen)體現了賽(sai)晶(jing)在電(dian)(dian)驅動領域(yu)的(de)強大技(ji)術實(shi)(shi)力(li)。作為新能源(yuan)產(chan)業(ye)(ye)(ye)鏈核心器件(jian)和創新技(ji)術型企(qi)業(ye)(ye)(ye)，賽(sai)晶(jing)始終堅(jian)持(chi)“以(yi)科技(ji)創新，推動綠色能源(yuan)發展”為使命，站在行業(ye)(ye)(ye)的(de)前沿不斷探索(suo)、創新。憑借多年出色的(de)實(shi)(shi)用業(ye)(ye)(ye)績(ji)和領先的(de)市場地位，贏得了中(zhong)國(guo)電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)術創新研發和國(guo)產(chan)化先鋒的(de)贊(zan)譽。