近日，賽晶(jing)首款車(che)規(gui)級SiC模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)——HEEV封裝(zhuang)SiC模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)亮相(xiang)德國(guo)(guo)紐倫堡電(dian)(dian)子展(zhan)（PCIM Europe 2023)，引(yin)發國(guo)(guo)內外與會(hui)專家(jia)、客戶的廣泛關注。HEEV封裝(zhuang)SiC模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)來自高效電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)平臺，采(cai)用(yong)HEEV封裝(zhuang)創新設計，能(neng)(neng)最大限度的發揮(hui)SiC模(mo)(mo)塊(kuai)(kuai)的出(chu)色性能(neng)(neng)，滿足電(dian)(dian)動(dong)汽車(che)市場不同需求。

碳化硅(gui)（silicon carbide，SiC）器(qi)件(jian)作為一種寬禁帶半導(dao)體器(qi)件(jian)，具有耐高溫(wen)、高壓(ya)，導(dao)通電阻低等(deng)優點(dian)，被公(gong)認(ren)為將推動新能源汽車領域產生(sheng)重大技術變革。如(ru)何充分發揮碳化硅(gui)器(qi)件(jian)高壓(ya)高溫(wen)大容量的優異性能，給封裝技術帶來(lai)了新的挑(tiao)戰。

針對高(gao)(gao)(gao)(gao)端電動汽(qi)車(che)的(de)系統需(xu)求(qiu)(qiu)，賽晶推出了為電動汽(qi)車(che)應(ying)用量身定(ding)做的(de)HEEV封裝SiC模塊，以(yi)滿足(zu)高(gao)(gao)(gao)(gao)功(gong)率(lv)、輕量化和高(gao)(gao)(gao)(gao)可靠性(xing)的(de)需(xu)求(qiu)(qiu)，并兼顧高(gao)(gao)(gao)(gao)性(xing)能馬達驅動的(de)應(ying)用需(xu)求(qiu)(qiu)。HEEV封裝SiC模塊采用1200V SiC MOSFET芯片(pian)，適合(he)800V高(gao)(gao)(gao)(gao)壓平臺應(ying)用。Rds(on)低至1.8mΩ@25℃，適用電驅功(gong)率(lv)高(gao)(gao)(gao)(gao)達250kW。在設計和應(ying)用上(shang)更加簡(jian)便和高(gao)(gao)(gao)(gao)效。

不僅如此，該模塊設計(ji)(ji)體積非常緊湊，有助于(yu)實(shi)現電驅的輕量化，并(bing)采(cai)用無(wu)銅(tong)底板(ban)直接液冷設計(ji)(ji)，以保證更(geng)高的功率循環壽命和(he)更(geng)低(di)的熱阻。同時，還具有雜散電感非常小，適合SiC高速開關等特點。   

賽晶半導體始終堅持自主研發的戰(zhan)略方向，以業內頂級技術專家(jia)團隊為核心，繼推(tui)出“i20系列IGBT芯片(pian)組”、“ED封(feng)裝(zhuang)IGBT模塊(kuai)”、“ST封(feng)裝(zhuang)IGBT模塊(kuai)”眾(zhong)多產(chan)品(pin)之(zhi)后，于2022年取得重(zhong)大技術突破，重(zhong)磅推(tui)出首(shou)款車(che)規級SiC模塊(kuai)。目前該模塊(kuai)已完成(cheng)樣品(pin)試(shi)制，并(bing)進入(ru)測試(shi)階段和開展量產(chan)計劃(hua)。