本次大(da)會上，賽晶技(ji)術總監(jian)兼(jian)市場總監(jian)馬(ma)先(xian)奎就“高效高功(gong)(gong)(gong)率密度新(xin)型封(feng)裝(zhuang)車規級功(gong)(gong)(gong)率模塊(kuai)(kuai)(kuai)”為主(zhu)題發表演講。馬(ma)先(xian)奎先(xian)生從功(gong)(gong)(gong)率模塊(kuai)(kuai)(kuai)應用需求談起，介紹了(le)電動車電驅(qu)對功(gong)(gong)(gong)率模塊(kuai)(kuai)(kuai)的技(ji)術需求，并延伸到功(gong)(gong)(gong)率模塊(kuai)(kuai)(kuai)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術實現，以(yi)及賽晶新(xin)型封(feng)裝(zhuang)模塊(kuai)(kuai)(kuai)理念—“壓(ya)注封(feng)裝(zhuang)HEEV模塊(kuai)(kuai)(kuai)”和車規級緊湊(cou)的六合(he)一(yi)封(feng)裝(zhuang)模塊(kuai)(kuai)(kuai)—”EVD封(feng)裝(zhuang)模塊(kuai)(kuai)(kuai)“。這(zhe)是賽晶面(mian)對蓬勃(bo)發展的電動車市場做出的積極回(hui)應和對服務好客戶的意愿(yuan)展示。

車(che)規級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊

HEEV封(feng)(feng)裝SiC模(mo)塊(kuai)(kuai)是一(yi)款具有更高功(gong)率(lv)密度的(de)新型封(feng)(feng)裝模(mo)塊(kuai)(kuai)，主要(yao)針對(dui)高端(duan)電動汽(qi)車(che)的(de)系統需(xu)求為電動汽(qi)車(che)應(ying)(ying)用(yong)量身定做。即(ji)滿足高功(gong)率(lv)、輕(qing)量化(hua)和(he)高可靠性(xing)的(de)需(xu)求，又兼(jian)顧高性(xing)能馬(ma)達驅動的(de)應(ying)(ying)用(yong)需(xu)求。HEEV封(feng)(feng)裝SiC模(mo)塊(kuai)(kuai)采用(yong)1200V SiC MOSFET芯片，適合800V高壓(ya)平臺應(ying)(ying)用(yong)。Rds(on)低至(zhi)1.8mΩ@25℃，適用(yong)電驅功(gong)率(lv)高達250kW。在設計和(he)應(ying)(ying)用(yong)上更加簡便和(he)高效。

不僅如此，該模(mo)塊(kuai)設計體(ti)積(ji)非(fei)常緊湊，有(you)助于實現電驅的輕量化(hua)，在冷卻方(fang)面采用直接(jie)水(shui)冷，以及(ji)先(xian)進陶瓷材料降(jiang)低熱(re)阻和(he)O型(xing)圈密封設計；在可靠(kao)性(xing)方(fang)面采用壓(ya)注模(mo)封裝(zhuang)，提高對環境友好性(xing)，并保證更好的功(gong)率循(xun)環壽(shou)命。此外(wai)，該模(mo)塊(kuai)還(huan)采用了無銅底板(ban)(ban)技術，避免了銅底板(ban)(ban)和(he)AMB（絕(jue)緣基(ji)片(pian)）之間大面積(ji)焊接(jie)層，以實現更高的功(gong)率循(xun)環壽(shou)命和(he)更低的熱(re)阻。同(tong)時，還(huan)具有(you)雜(za)散(san)電感非(fei)常小，適合SiC高速開關等特點。

與業(ye)界頭部企業(ye)相同規格封(feng)裝(zhuang)模(mo)(mo)塊(kuai)對比，在(zai)封(feng)裝(zhuang)尺(chi)寸/體積方(fang)面，賽晶模(mo)(mo)塊(kuai)體積減(jian)小(xiao)一半；在(zai)連接阻(zu)抗(kang)方(fang)面，賽晶模(mo)(mo)塊(kuai)減(jian)小(xiao)一半；在(zai)封(feng)裝(zhuang)雜散(san)(san)電(dian)感方(fang)面，賽晶模(mo)(mo)塊(kuai)雜散(san)(san)電(dian)感減(jian)小(xiao)1/3。

HEEV封裝SiC模(mo)塊（1200 V）與業界頭(tou)部企業相同(tong)規格封裝模(mo)塊對(dui)比(bi)主(zhu)要參數(shu)

車(che)規級緊湊的六合一封(feng)裝模塊(kuai)——EVD封(feng)裝模塊(kuai)

EVD封(feng)裝(zhuang)模(mo)塊是賽晶車規級(ji)緊湊的六合一封(feng)裝(zhuang)模(mo)塊，主要(yao)產品種類可同時兼容Si和SiC模(mo)塊，采用(yong)信號端子(zi)的創(chuang)新工(gong)藝和設計，并具有先(xian)進的內部SiC芯片并聯排布，以及極低的連接阻抗。

與(yu)業(ye)界頭(tou)部企業(ye)相同規格封裝模塊(kuai)(kuai)對比，在(zai)MOSFET導通(tong)電阻(zu)方(fang)面(mian)(mian)，賽晶模塊(kuai)(kuai)降低10~30%導通(tong)電阻(zu)；在(zai)連接阻(zu)抗(kang)方(fang)面(mian)(mian)，賽晶模塊(kuai)(kuai)封裝阻(zu)抗(kang)低1/3；在(zai)開關(guan)(guan)損耗(hao)方(fang)面(mian)(mian)，相同開關(guan)(guan)速度下具(ju)有相近或者更(geng)低的開關(guan)(guan)損耗(hao)。功率模塊(kuai)(kuai)達到應用需要同時關(guan)(guan)注電氣性能和長期運(yun)行可靠性，且兼容市場主流產品封裝。

EVD封裝(zhuang)SiC模(mo)塊（1200 V）與(yu)業界頭部企業相同規格封裝(zhuang)模(mo)塊對比主要(yao)參數

隨著封裝技(ji)術的(de)發展，壓(ya)注封裝的(de)HEEV模塊(kuai)具有(you)低(di)雜(za)感(gan)、體積小等特點，能夠(gou)將SiC芯(xin)片的(de)性(xing)能得到(dao)更充分的(de)發揮。EVD封裝的(de)產品可(ke)(ke)以(yi)讓客戶能夠(gou)最大可(ke)(ke)能的(de)借鑒既有(you)Si產品的(de)系(xi)統(tong)設計，同時可(ke)(ke)以(yi)有(you)靈活的(de)商(shang)務供(gong)應。

大(da)會同期展覽

在(zai)大會現場，賽(sai)晶展示了車規(gui)級HEEV封裝(zhuang)SiC模(mo)塊(kuai)，以及i20系(xi)列(lie)1700V IGBT芯片組、ED封裝(zhuang)模(mo)塊(kuai)、ST封裝(zhuang)模(mo)塊(kuai)、EV封裝(zhuang)模(mo)塊(kuai)，引(yin)發與會技術專(zhuan)家和客(ke)戶的(de)廣泛(fan)關注。體現了賽(sai)晶在(zai)電(dian)驅動領域的(de)強大技術實力。

賽晶展位前(qian)，各與會專(zhuan)業(ye)人士紛紛前(qian)來參(can)觀和(he)咨(zi)詢(xun)，并與現(xian)場(chang)技術(shu)、銷售(shou)人員進行了深入交流(liu)。憑借國(guo)際一流(liu)的(de)(de)技術(shu)水平和(he)卓越的(de)(de)性(xing)能表現(xian)，贏(ying)得國(guo)內(nei)外業(ye)內(nei)專(zhuan)家(jia)和(he)客戶(hu)的(de)(de)一致(zhi)認可(ke)和(he)高度贊譽。

賽(sai)晶始(shi)終堅持(chi)自主研發的(de)戰略(lve)(lve)方(fang)向，以“科技創新，推動綠色(se)能源發展”為(wei)使(shi)命，以業內頂級(ji)技術專家團隊為(wei)核心(xin)，致力于打(da)造國(guo)產精品(pin)IGBT、SiC產品(pin)，服務于電動汽車、新能源發電、工業控制等國(guo)家戰略(lve)(lve)新興產業，為(wei)實現(xian)人類社會低碳(tan)節能、綠色(se)可持(chi)續發展做出貢獻。