近日,賽(sai)(sai)(sai)晶(jing)科技子公(gong)司(si)——賽(sai)(sai)(sai)晶(jing)亞太半(ban)導體科技(浙江(jiang))有限公(gong)司(si)(以下(xia)簡稱“賽(sai)(sai)(sai)晶(jing)半(ban)導體”)自主(zhu)研發的(de)IGBT芯(xin)片(pian),完成(cheng)了首次(以晶(jing)圓形(xing)式)正式向新(xin)(xin)能(neng)源乘用車(che)(che)市(shi)場客戶批量交付。這標志著使(shi)用賽(sai)(sai)(sai)晶(jing)i20技術的(de)IGBT芯(xin)片(pian),已經(jing)獲得(de)市(shi)場主(zhu)流新(xin)(xin)能(neng)源汽車(che)(che)廠家(jia)的(de)認(ren)可,開(kai)始進入批量銷售階段(duan)。
此外,賽(sai)晶半導(dao)體完全(quan)使用自主IGBT芯片的模塊(kuai)產品也(ye)正在配合新能(neng)源(yuan)乘用車客戶進行測(ce)試驗證。
此次交付的(de)(de)(de)賽晶自主(zhu)研發的(de)(de)(de)IGBT芯片(pian),額定電(dian)(dian)壓(ya)為1200V,額定電(dian)(dian)流為250A。使(shi)用目前主(zhu)流的(de)(de)(de)FS-Trench結(jie)(jie)構,并在設計中(zhong)進(jin)(jin)行了(le)N型增強、窄臺面、短溝道、超(chao)薄基底、優(you)(you)化P+、3D結(jie)(jie)構等多(duo)項優(you)(you)化,帶來了(le)高達(da)250A電(dian)(dian)流和175℃最(zui)大工(gong)作結(jie)(jie)溫的(de)(de)(de)卓(zhuo)越(yue)性能。憑借深厚(hou)的(de)(de)(de)技術和工(gong)藝經驗(yan),i20 IGBT芯片(pian)批量產品(pin)實現了(le)卓(zhuo)越(yue)的(de)(de)(de)性能表(biao)現,特別是在以往進(jin)(jin)口品(pin)牌一直遙遙領先(xian)的(de)(de)(de)產品(pin)一致性、穩定性上(shang),達(da)到國(guo)際(ji)一流水(shui)平(ping),開啟了(le)國(guo)產IGBT芯片(pian)高水(shui)平(ping)發展的(de)(de)(de)新(xin)篇章。
賽晶(jing)半導體,致(zhi)力(li)于為(wei)廣(guang)大(da)業內伙(huo)伴提供(gong)優秀的(de)(de)國(guo)產(chan)(chan)(chan)IGBT芯片,打破國(guo)內嚴(yan)重(zhong)依賴(lai)進口芯片的(de)(de)“缺芯”困(kun)局,共建國(guo)產(chan)(chan)(chan)IGBT良(liang)性(xing)發(fa)展生態(tai)圈。新能(neng)源汽(qi)車(che)不僅是國(guo)家(jia)重(zhong)點發(fa)展的(de)(de)戰略新興產(chan)(chan)(chan)業、實(shi)現“雙碳(tan)”目標的(de)(de)重(zhong)要(yao)手段,也是IGBT最重(zhong)要(yao)的(de)(de)應(ying)用領域(yu)之一。賽晶(jing)半導體高度(du)重(zhong)視車(che)規級IGBT芯片技術和產(chan)(chan)(chan)品的(de)(de)研發(fa),著(zhu)力(li)加強(qiang)與廣(guang)大(da)電(dian)驅(qu)電(dian)控和整(zheng)車(che)制(zhi)造企業的(de)(de)交流與合(he)作(zuo),致(zhi)力(li)于以國(guo)產(chan)(chan)(chan)精品IGBT助力(li)中國(guo)新能(neng)源汽(qi)車(che)產(chan)(chan)(chan)業騰飛。
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