自2020年9月發布i20 IGBT芯片、ED-Type IGBT模塊等產品以來，在過去的一年里，賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司（以下簡稱“賽晶半導體”）本著精益求精的科技工匠精神，進行了全面的產品測試和優化，以及生產線建設和試產。

今天，賽晶半導體非常高興(xing)的(de)宣布(bu)：1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片，1200V/750A及600A ED-Type IGBT模塊(kuai)等產(chan)(chan)品(pin)成功完成試產(chan)(chan)，已(yi)具(ju)備(bei)了批量供貨能力，并正式開始接受客(ke)戶訂貨。

打(da)破“缺芯”困(kun)局，共建國產IGBT良性發展生態(tai)圈(quan)

IGBT，作為功率半導體(ti)的(de)代表，被(bei)稱為大國(guo)(guo)重器，對電動汽車、新能(neng)源(yuan)電力(li)等國(guo)(guo)家重點新興產(chan)業發展(zhan)和(he)達成“雙碳”目(mu)標，具(ju)有(you)重要的(de)戰略意義。然而，中(zhong)國(guo)(guo)雖然是(shi)全球最大的(de)IGBT消費國(guo)(guo)，市場卻長(chang)期為國(guo)(guo)外企(qi)業所主導。特別(bie)是(shi)芯片(pian)領域，國(guo)(guo)內自給(gei)率極低。在中(zhong)美貿易多變的(de)背(bei)景下(xia)，加(jia)快國(guo)(guo)產(chan)化進(jin)程，促進(jin)中(zhong)國(guo)(guo)成為IGBT產(chan)業強(qiang)國(guo)(guo)，是(shi)每(mei)一個業內中(zhong)國(guo)(guo)企(qi)業的(de)責(ze)任和(he)使(shi)命(ming)。

賽晶半導體，希望通過(guo)出色(se)的(de)國產芯片產品和對(dui)外銷售芯片的(de)舉措(cuo)，打(da)破(po)國內嚴重依(yi)賴(lai)進口芯片的(de)“缺芯”困局，與廣大業內企業共建國產IGBT良性發(fa)展生態圈，助力中國IGBT產業騰飛。

i20 IGBT芯(xin)片和(he)d20 FRD芯(xin)片

i20 IGBT和d20 FRD芯片，電壓(ya)/電流為1200V/250A，各項性能達(da)到或超過了國(guo)際領軍企業的同類產品。

i20 IGBT芯(xin)片，采(cai)用FS-Trench結構，即正面(mian)精細溝槽+背面(mian)場截止，并通過(guo)N型增強、窄臺(tai)面(mian)、短(duan)溝道、超薄基(ji)底、優(you)化P+、3D結構等多項優(you)化設計(ji)，從(cong)而帶(dai)來(lai)了高達250A的卓越表現(xian)。

d20 FRD芯片(pian)，與i20 IGBT芯片(pian)一同研發，從而(er)確保了(le)FRD與IGBT的(de)(de)完美配合，以及芯片(pian)組的(de)(de)出色整體(ti)性(xing)能。此外，我(wo)們通過先進的(de)(de)發射(she)極效率管理、優化的(de)(de)陽極擴散(san)曲線和陰極緩沖區、優化的(de)(de)N-基底厚度(du)與發射(she)極和載流(liu)子(zi)壽(shou)命，以及特別設計(ji)的(de)(de)鏈接終(zhong)端(duan)，實(shi)現了(le)較低的(de)(de)FRD損(sun)耗，也(ye)降低了(le)IGBT的(de)(de)通導損(sun)耗。

在國(guo)(guo)外(wai)企(qi)業技術領先并主導(dao)市(shi)場(chang)的(de)IGBT芯(xin)片領域，賽晶半導(dao)體是(shi)(shi)少數(shu)全部采用自(zi)有(you)芯(xin)片進(jin)行模塊(kuai)封裝的(de)國(guo)(guo)內企(qi)業，更是(shi)(shi)目前極少數(shu)公開(kai)對外(wai)銷售(shou)自(zi)主技術IGBT芯(xin)片的(de)國(guo)(guo)內企(qi)業。敢(gan)于直面(mian)市(shi)場(chang)的(de)檢(jian)驗，這(zhe)充(chong)分(fen)體現了(le)賽晶半導(dao)體對產品卓(zhuo)越品質的(de)高度自(zi)信。

ED-Type IGBT模塊(kuai)

ED-Type模塊，采用標準的“EconoDual”封裝設計，使用賽晶半導體i20和d20芯片組，推出了1200V/750A和1200V600A兩個型號產品。

ED-Type模塊采用了“直線型”優化設計，大幅提升了均流表現，并在降低損耗的同時，提高了可靠性表現。

源于卓越(yue)的(de)(de)i20和(he)d20芯(xin)片組、出(chu)色(se)的(de)(de)優化(hua)設計和(he)工藝水平、嚴格的(de)(de)原材料選用(yong)和(he)供應(ying)鏈管理、首屈一指的(de)(de)智能自動化(hua)制造生產(chan)線，ED-Type模塊與國外(wai)領域企業(ye)的(de)(de)同類產(chan)品對比中(zhong)，表(biao)現出(chu)了更加優異的(de)(de)綜合性能。

一往無(wu)前，賽晶半導體將再接再厲，加快開(kai)展1700V以及(ji)750V的(de)精(jing)密溝(gou)槽(cao)和微(wei)溝(gou)槽(cao)IGBT芯(xin)片、碳化硅(gui)芯(xin)片，以及(ji)ED-Type、ST-Type和EV-Type等IGBT模(mo)塊的(de)產品研發(fa)和生產線(xian)建設(she)，為廣(guang)大客戶奉獻更多、更好(hao)的(de)國(guo)產IGBT精(jing)品，助力中國(guo)“強芯(xin)夢”的(de)早日實(shi)現。