德國(guo)(guo)紐倫堡，2025年(nian)5月6日——全球(qiu)電力電子行業(ye)年(nian)度盛(sheng)會PCIM Europe 2025在德國(guo)(guo)紐倫堡展(zhan)覽中(zhong)心盛(sheng)大開幕。作為中(zhong)國(guo)(guo)功率(lv)半導(dao)體領(ling)域(yu)的領(ling)軍企業(ye)，賽晶(jing)半導(dao)體攜多款前(qian)沿產品及(ji)解決方案亮(liang)相展(zhan)會（展(zhan)位號：Hall 7, Booth 479），展(zhan)示了其在碳化硅（SiC）、IGBT及(ji)功率(lv)模(mo)塊領(ling)域(yu)的最新(xin)突破，引發行業(ye)高度關(guan)注。

聚(ju)焦創新：重(zhong)磅產品與技(ji)術全球首發

m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片

本屆展會上(shang)，賽晶半導體首次向全球發布了一(yi)款核心產(chan)品，即：m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片，彰(zhang)顯其強勁的技(ji)術研發實力：

在光(guang)伏和儲能領(ling)域，SiC（碳(tan)化(hua)硅(gui)）半(ban)導體技術因其獨特的(de)材料特性，在高(gao)(gao)壓、高(gao)(gao)頻、高(gao)(gao)溫應用中展現出顯著(zhu)優勢。1400V SiC器件(jian)能夠(gou)更可(ke)靠(kao)地應用于光(guang)伏、儲能2000V系統(tong)的(de)高(gao)(gao)壓場景，提高(gao)(gao)系統(tong)功率(lv)密度及能量轉換效率(lv)，降低系統(tong)成本。

1400V SiC技(ji)術(shu)通(tong)過高(gao)(gao)(gao)效率、高(gao)(gao)(gao)壓耐受性、高(gao)(gao)(gao)溫穩定性等優勢，成(cheng)為推(tui)動光伏和儲能(neng)2000V系統發展(zhan)的關(guan)鍵(jian)。隨(sui)著成(cheng)本下降和國產化加速，SiC將進一步賦能(neng)高(gao)(gao)(gao)壓系統的降本增效，并在可再生能(neng)源領(ling)域占據更核心的地位。

展會現場，賽晶還展示(shi)了m23 1200V,100A SiC power MOSFET芯片(pian)(pian)、i23 1200V, 150A-300A micro pattern lGBT 300mm芯片(pian)(pian)、i23 1700V, 300A micro pattern lGBT 200mm芯片(pian)(pian)、i20 1200V 100A-250A fine pattern IGBT 300mm芯片(pian)(pian)以及其(qi)他模塊(kuai)系(xi)列(lie)產品(pin)，吸引眾多國內(nei)外(wai)客戶駐足(zu)交流。

技術對話：共謀能源轉型(xing)新路徑

展會(hui)同期，賽(sai)晶(jing)半導體的四(si)位技術(shu)專家受邀出席高(gao)峰論壇，各自向與會(hui)者分享了自己最(zui)新研發成果：

Sven Matthias

論文標題(ti)：

《面(mian)向62mm功率模塊的自(zi)動化(hua)優化(hua)設計：性能(neng)與可(ke)靠性提(ti)升》

"Automation-Optimized Design for 62mm Power Modules: Enhanced Performance and Reliability"

核心(xin)內(nei)容：

本文針對經典的(de)(de)(de) 62 mm IGBT 模塊(kuai)提(ti)出了(le)一種超(chao)緊湊基板設計和(he)(he)(he)自動(dong)化友好型組裝(zhuang)工藝(yi)，從而提(ti)高(gao)了(le)電(dian)氣(qi)性能(neng)和(he)(he)(he)可(ke)靠性。該設計通過在(zai)三維(wei)空間實施柵(zha)極(ji)軌道，最大限(xian)度(du)地減少了(le)柵(zha)極(ji)連(lian)接(jie)空間，從而最大限(xian)度(du)地擴大了(le)功(gong)率(lv)器件的(de)(de)(de)空間。緊湊的(de)(de)(de)集成實現(xian)了(le) Ls = 10 nH 的(de)(de)(de)低內部雜散電(dian)感，并降(jiang)低了(le)連(lian)接(jie)電(dian)阻。這種方(fang)法提(ti)高(gao)了(le)功(gong)率(lv)密度(du)，同時改善了(le)制造(zao)自動(dong)化并確保了(le)穩健的(de)(de)(de)電(dian)氣(qi)連(lian)接(jie)。結構(gou)和(he)(he)(he)電(dian)氣(qi)特性測(ce)(ce)試證(zheng)實了(le)模塊(kuai)的(de)(de)(de)完(wan)整性和(he)(he)(he)可(ke)靠性，功(gong)率(lv)循環和(he)(he)(he)開關(guan)性能(neng)測(ce)(ce)試則驗證(zheng)了(le)模塊(kuai)的(de)(de)(de)大電(dian)流處理能(neng)力。所(suo)提(ti)出的(de)(de)(de)設計大大提(ti)高(gao)了(le)性能(neng)和(he)(he)(he)制造(zao)效率(lv)，使(shi)其(qi)成為下一代電(dian)力電(dian)子器件的(de)(de)(de)有力候選者。

（原文：This paper presents an ultra-compact substrate design and automation-friendly assembly process for classic 62 mm IGBT modules, improving electrical performance and reliability. The design minimizes space for gate connections by implementing gate tracks in the third dimension, maximizing space for power devices. The compact integration achieves a low internal stray inductance of Ls=10nH, and reduced connection resistance. This approach enhances power density while improving manufacturing automation and ensuring robust electrical connections. Structural and electrical characterization confirms the module’s integrity and reliability, and power cycling and switching performance tests validate its high-current handling capabilities. The proposed design significantly enhances performance and manufacturing efficiency, making it a strong candidate for next-generation power electronics. ）

Nick Gilles Schneider

論文(wen)標題：

《采(cai)用新(xin)型微(wei)溝槽柵IGBT的900A 1200V ED模塊：局(ju)部(bu)載流子限制控(kong)制技(ji)術》

"900 A 1200 V ED Module with New Micro pattern Trench lGBT Featuring Local Carrier Confinement Control"

核心內容：

新型SwissSEM 900A/1200V ED型模塊采用(yong)了具有(you)先進電流密度的(de)(de)微(wei)溝槽(cao)IGBT芯片組。相較于上一代產品，該模塊在關(guan)(guan)斷損耗(hao)相近的(de)(de)情況下(xia)，將集射極飽和電壓（VCE,sat）降低了近400mV。文中提出了微(wei)溝槽(cao)IGBT的(de)(de)局部載流子(zi)限制(zhi)控制(zhi)技(ji)術（LCT），并通過實驗驗證了其(qi)優勢。反向續流二極管經過優化，在恢復(fu)損耗(hao)不(bu)變的(de)(de)情況下(xia)，正向壓降（VF）降低了250mV。此外，二極管與(yu)IGBT均展現出極高的(de)(de)魯(lu)棒性(xing)(xing)，并具有(you)優異的(de)(de)開關(guan)(guan)軟特性(xing)(xing)。

（原文：In this paper, the new SwissSEM 900 A,1200 V ED-type module featuring a micropattern IGBT chipset with state-of-the-art current density is introduced. The new module offers almost 400 mV reduction in VCE,sat at similar turn-off losses compared to the previous generation. The concept of local carrier confinement control for micropattern trench IGBTs (LCT) is introduced, and the benefits are shown experimentally. The auxiliary diode is optimized and improved by 250 mV in VF at the same recovery losses. Additionally,both the diode and IGBT are extremely rugged and show excellent switching softness.）

Nick在展會現場發布(bu)報告

此外，Raffael Schnell和Roger Stark也分(fen)別以(yi)《搭(da)載i23微(wei)溝槽柵(zha)芯片(pian)組的高性能IGBT模塊》和《基于應(ying)用(yong)場景運行溫度的SiC MOSFET單元布局優化》為主題，分(fen)享了其(qi)最新技(ji)術(shu)(shu)成(cheng)果，與(yu)會(hui)專家對賽晶(jing)半導體的技(ji)術(shu)(shu)創(chuang)新表示高度認可(ke)，

PCIM Europe 2025不僅是技術展示的(de)平臺(tai)，更是推動(dong)全球能(neng)源(yuan)轉型的(de)加(jia)速(su)器。賽晶(jing)半導體(ti)通過前沿(yan)產品發(fa)布與(yu)技術成果分享，再次印證了(le)其(qi)在功率半導體(ti)領域的(de)領導地(di)位。未來(lai)，公(gong)司將持續深耕碳(tan)(tan)化硅與(yu)IGBT技術，推動(dong)國產半導體(ti)高端化進程，并與(yu)全球合作(zuo)伙伴共(gong)建綠色能(neng)源(yuan)生態，助(zhu)力“雙碳(tan)(tan)”目標實現。