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新品發布 | 1200V i23 ED封裝半橋IGBT模塊

發布時間:2025-07-25

i23 900A/1200V系列模(mo)塊能夠有效降低飽和(he)壓降和(he)開關損耗,符合業界最高(gao)的(de)可靠性標(biao)準(zhun)和(he)要求,助力(li)實現高(gao)能效的(de)新能源發電(dian)(dian)和(he)工控等領域(yu)的(de)設計(ji)方案(an)。該系列產(chan)品(pin)采用(yong)最新的(de)封裝技術(shu),以(yi)實現i23高(gao)電(dian)(dian)流密度的(de)優異(yi)性能,同(tong)時降低模(mo)塊的(de)內部阻抗,使得模(mo)塊能夠承載(zai)更大(da)的(de)系統電(dian)(dian)流,滿足更為廣(guang)泛的(de)應用(yong)需求。



產品型號

  • SISD0450ED120i23

  • SISD0600ED120i23

  • SISD0900ED120i23


產品(pin)特點(dian)

  • 極低飽(bao)和(he)壓降VCEsat=1.55V (Ic=900A, VGE=15 V,Tvj=25 °C)

  • 增強(qiang)FRD設計,VF降低0.25V,滿足儲能PCS應用場景

  • 軟恢(hui)復特性d23二極管(guan),保(bao)證反向恢(hui)復時電壓峰(feng)值安(an)全工(gong)作區,更加適配三(san)電平儲能應(ying)用(yong)

  • 高性能(neng)(neng)絕緣基板,熱阻降低,散(san)熱性能(neng)(neng)更(geng)好

  • 損(sun)耗和(he)散熱(re)性能(neng)的優異結(jie)合,對于逆變應用和(he)整流(liu)應用具(ju)有綜合優勢(shi)

  • 行業標(biao)準封裝,模(mo)塊內部低阻(zu)抗設(she)計

  • 器件高可靠性,長(chang)期運行結溫175℃


競爭優(you)勢(shi)

  • 具有(you)深厚研(yan)發經驗團隊設計的(de)國產(chan)IGBT和二極管芯片(pian)組

  • 針對900A大(da)電(dian)流(liu)功率模(mo)塊的(de)封裝設(she)計,包含銅線綁定(ding)、大(da)面(mian)積(ji)功率端子設(she)計等(deng)

  • 較窄的參數分(fen)布,針對(dui)并聯(lian)應用而無需(xu)特(te)別篩選

  • 抗(kang)濕度和鹽霧等(deng)高可靠性

  • 生產(chan)、質量(liang)和(he)業務(wu)連(lian)續(xu)性支持


應用領域

  • 1500V集(ji)中式光伏(fu)逆變器

  • 集中式儲能變流器

  • 商用車電(dian)驅(qu)

  • 變頻器

  • 逆變焊機

  • 牽引輔助電源

  • 大功(gong)率電源,如UPS等

  • 變頻(pin)電源


1200V i23 ED封裝(zhuang)半(ban)橋IGBT模塊,現已(yi)量產。歡迎廣大客(ke)戶(hu)訪問賽晶亞太半(ban)導體(ti)公司網站 //www.swiss-sem.com/,查閱詳(xiang)情、索取樣品。


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