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新品發布 | 1700V 900A i23 ED封裝半橋IGBT模塊

發布時間:2025-08-21

i23 1700V 900A系(xi)列IGBT模塊采(cai)用經典ED封裝,i23芯片采(cai)用微(wei)精細溝槽(cao)柵技術,實現超(chao)低損耗Eon+Eoff,同時也具有高(gao)(gao)短路能(neng)力,以解(jie)決芯片高(gao)(gao)電流(liu)密度面臨(lin)的(de)挑戰。支(zhi)持長期運(yun)行(xing)結(jie)溫175°C(Tvjop),集(ji)成NTC溫度傳感(gan)器,確保(bao)高(gao)(gao)溫工(gong)況(kuang)下的(de)穩定運(yun)行(xing),顯著增加了器件的(de)輸出能(neng)力,大(da)幅提高(gao)(gao)系(xi)統的(de)功率(lv)密度,為風電、工(gong)控和新能(neng)源等(deng)領域帶來突破性的(de)解(jie)決方案。



產(chan)品型號

  • SISD0900ED170i23


產品特點(dian)

  • i23超低(di)損耗、微(wei)精細(xi)溝槽(cao)柵IGBT芯片組

  • 加(jia)強 AI2O3絕緣陶瓷基(ji)板

  • 低熱(re)阻銅底(di)板

  • 優化行業標準封裝,顯著降(jiang)低(di)內部阻(zu)抗與接線端溫升


競爭優(you)勢

  • 基于(yu)多年功率半導體研發經驗優化的自研IGBT與(yu)二極管芯片組

  • 900A大(da)電流功率模(mo)塊封裝設(she)計:銅線綁(bang)定+大(da)面(mian)積(ji)功率端子優(you)化,提(ti)升載流與散熱(re)能力

  • 單模塊支持900A高電流輸(shu)出,簡化系(xi)統設計,降(jiang)低系(xi)統綜(zong)合成本(ben)

  • 跨領域高性能解(jie)決(jue)方(fang)案,靈活匹配多(duo)元化應用場(chang)景(jing)

  • 生產制造與質量保(bao)障體系,確保(bao)業(ye)務連續性


應(ying)用(yong)領域(yu)

  • 風力(li)發電

  • 工控

  • SVG

  • 高壓(ya)變(bian)頻

  • 高(gao)壓級聯儲能

  • 軌道交通

  • 電能質量


1700V 900A i23 ED封(feng)裝(zhuang)半橋IGBT模塊,現已量產。歡迎(ying)廣(guang)大客戶(hu)訪問賽晶(jing)亞太半導(dao)體公司網站(zhan) //www.swiss-sem.com/,查閱(yue)詳情(qing)、索取樣(yang)品。


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