7月(yue)14日，PSiC2022第(di)五屆中(zhong)國(guo)國(guo)際(ji)新(xin)能(neng)源汽(qi)(qi)(qi)車(che)功率半導(dao)體市(shi)場(chang)與關鍵(jian)技術論(lun)(lun)(lun)(lun)壇(tan)(tan)在(zai)蕪湖(hu)舉辦。本次論(lun)(lun)(lun)(lun)壇(tan)(tan)由PSiC2022組(zu)委會(hui)、亞洲(zhou)電(dian)動(dong)汽(qi)(qi)(qi)車(che)協(xie)(xie)會(hui)、蕪湖(hu)高新(xin)技術產(chan)業(ye)(ye)(ye)開發區(qu)(qu)管委會(hui)、蕪湖(hu)新(xin)能(neng)源汽(qi)(qi)(qi)車(che)產(chan)業(ye)(ye)(ye)基地、蕪湖(hu)新(xin)能(neng)源汽(qi)(qi)(qi)車(che)產(chan)業(ye)(ye)(ye)協(xie)(xie)會(hui)、IEEE工業(ye)(ye)(ye)電(dian)子協(xie)(xie)會(hui)（IES）中(zhong)國(guo)區(qu)(qu)、中(zhong)國(guo)電(dian)力電(dian)子產(chan)業(ye)(ye)(ye)網聯合(he)主辦。此次論(lun)(lun)(lun)(lun)壇(tan)(tan)以“融合(he)創芯(xin)·助力雙(shuang)碳”為主題，聚焦基礎(chu)芯(xin)片、封裝材料(liao)、設備(bei)、器件(jian)、電(dian)驅(qu)動(dong)、整車(che)產(chan)業(ye)(ye)(ye)鏈(lian)資(zi)源。共有近400名整車(che)、電(dian)驅(qu)動(dong)、功率半導(dao)體等產(chan)業(ye)(ye)(ye)鏈(lian)上下游專業(ye)(ye)(ye)人(ren)士參加論(lun)(lun)(lun)(lun)壇(tan)(tan)。

論壇(tan)上，賽(sai)晶科(ke)技(ji)瑞士(shi)子公司(si)SwissSEM首席運營(ying)官(guan)Sven先生(sheng)，通過視(shi)頻的方式發表(biao)主題報告“工業級(ji)和車(che)規(gui)級(ji)IGBT的創(chuang)新(xin)與(yu)突破”。介(jie)紹(shao)了(le)賽(sai)晶i20 IGBT芯片組、ED封(feng)裝(zhuang)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)的優勢(shi)及特(te)點，并首次(ci)發布了(le)面(mian)向新(xin)能(neng)源汽車(che)領(ling)域的HEEV封(feng)裝(zhuang)SiC模(mo)(mo)塊(kuai)，以及面(mian)向新(xin)能(neng)源發電和工業電控(kong)領(ling)域的ST封(feng)裝(zhuang)模(mo)(mo)塊(kuai)。這是(shi)繼ED封(feng)裝(zhuang)IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)之后(hou)的又一(yi)力作，也是(shi)賽(sai)晶在工業級(ji)與(yu)車(che)規(gui)級(ji)IGBT領(ling)域的又一(yi)次(ci)創(chuang)新(xin)與(yu)突破。

i20 IGBT芯(xin)片，采用(yong)FS-TRENCH結(jie)構、多(duo)項國際前沿優(you)化設(she)(she)(she)計，具(ju)有低(di)阻抗短溝道、先進的3D結(jie)構、N-增強(qiang)層，使用(yong)TAIKO技術超薄基(ji)底、優(you)化的P+設(she)(she)(she)計，以(yi)及窄臺面精細(xi)圖案、激光退火處(chu)理的場截(jie)止層和陽極等優(you)勢，多(duo)項國際前沿優(you)化設(she)(she)(she)計帶來超低(di)通導損耗和判斷損耗。

ED封裝IGBT模塊，采(cai)用賽晶自(zi)研i20芯片組，不(bu)僅性能卓(zhuo)越(yue)，還具有出色(se)的魯(lu)棒性。短路耐受時間(jian)達(da)15微秒，在2倍甚至3倍額定(ding)電(dian)(dian)流下，該模塊仍(reng)可安全關斷。從而實現低損耗(hao)、大電(dian)(dian)流（可達(da)2×750A），比最常用的i4系列同(tong)類模塊性能超出10%以上(shang)，實現超越(yue)i4，比肩(jian)i7的卓(zhuo)越(yue)性能。

HEEV封裝(zhuang)SiC模塊，專(zhuan)為電動汽車開發的(de)(de)高(gao)效(High Efficient)碳化硅(gui)SiC模塊。采用賽晶(jing)自研i20芯片組，滿足(zu)高(gao)功率、輕量化和(he)高(gao)可靠(kao)(kao)性(xing)的(de)(de)需求(qiu)，采用轉移模塑、燒結、超聲波焊(han)接(jie)等多(duo)種先進(jin)的(de)(de)封裝(zhuang)工藝(yi)，無基底(di)直接(jie)冷(leng)卻(已申請專(zhuan)利)、鉗橋式結構等獨(du)特(te)的(de)(de)創新設計；模塊更小的(de)(de)體(ti)積（體(ti)積降低(di)50%）、更低(di)的(de)(de)損(sun)耗（連接(jie)電阻降低(di)50%）、更高(gao)的(de)(de)可靠(kao)(kao)性(xing)（雜散電感降低(di)40%），擁有高(gao)可靠(kao)(kao)性(xing)、良(liang)好的(de)(de)可控性(xing)、相同的(de)(de)額定功率。

ST封(feng)裝(zhuang)IGBT模塊，新(xin)能(neng)源發電、工業電控(kong)廣(guang)泛使用(yong)的(de)標準模塊外(wai)型(即62mm模塊) 。采用(yong)賽(sai)晶自研i20芯片(pian)組，模塊有源面積利用(yong)率顯著提升，實(shi)現同類競(jing)品(pin)中最(zui)低的(de)熱阻(zu)、內部阻(zu)抗、雜散電感；不僅(jin)如(ru)此，還采用(yong)先進工藝(yi)和優(you)(you)質(zhi)材料，以(yi)保證高性(xing)能(neng)、高可靠(kao)性(xing)和長壽命，以(yi)及自主創新(xin)的(de)內部封(feng)裝(zhuang)技術及兼容市場主流標準的(de)外(wai)形，創新(xin)的(de)內部優(you)(you)化布局及三維信號傳輸設(she)計，全(quan)面超越同類產品(pin)的(de)性(xing)能(neng)表現。

論(lun)壇同期展(zhan)覽，賽晶展(zhan)出i20 IGBT芯片(pian)(pian)、d20 FRD芯片(pian)(pian)、ED封(feng)裝(zhuang)模塊、ST封(feng)裝(zhuang)模塊以及EV封(feng)裝(zhuang)模塊樣品(pin)(pin)，引(yin)發與(yu)會(hui)專業(ye)人(ren)(ren)士廣(guang)泛(fan)關注，現場(chang)火爆程度超乎預期。許多與(yu)會(hui)專業(ye)人(ren)(ren)士紛紛到賽晶展(zhan)位參觀和咨詢，與(yu)現場(chang)技術、銷售人(ren)(ren)員進行了深入(ru)的(de)交流，并對賽晶將(jiang)推出的(de)新品(pin)(pin)抱(bao)有極大期許。

賽(sai)晶(jing)首次公開(kai)了(le)自(zi)主(zhu)研(yan)發的(de)(de)面向(xiang)新(xin)能(neng)源汽(qi)車領域的(de)(de)HEEV封(feng)(feng)裝SiC模(mo)塊，以(yi)及(ji)面向(xiang)新(xin)能(neng)源發電和(he)工業(ye)電控領域的(de)(de)ST封(feng)(feng)裝IGBT模(mo)塊，同時(shi)帶來了(le)賽(sai)晶(jing)IGBT最新(xin)前(qian)沿技術。憑借創新(xin)的(de)(de)產(chan)品理念、國際一流(liu)的(de)(de)研(yan)發實力、豐富的(de)(de)行業(ye)經驗，以(yi)及(ji)國際頂級的(de)(de)技術專家團隊(dui)，賽(sai)晶(jing)科技及(ji)其子(zi)公司賽(sai)晶(jing)半導(dao)體在打造自(zi)主(zhu)技術高端(duan) IGBT產(chan)品的(de)(de)路上穩步向(xiang)前(qian)，攻(gong)克了(le)一個又一個的(de)(de)難(nan)題，打破IGBT 壁(bi)壘(lei)，始終致(zhi)力于(yu)為電動汽(qi)車、新(xin)能(neng)源發電、工業(ye)電控等市(shi)場開(kai)發出具有國際一流(liu)品質的(de)(de)IGBT芯片和(he)模(mo)塊產(chan)品。