8月10日(ri)，有全球(qiu)知名電子(zi)(zi)科技(ji)(ji)媒體<電子(zi)(zi)發燒友(you)>主辦(ban)(ban)的(de)(de)2022年汽車(che)電子(zi)(zi)創新技(ji)(ji)術研討會在中國深圳成(cheng)功舉(ju)辦(ban)(ban)。共有近200名來自各汽車(che)電子(zi)(zi)相(xiang)關企業的(de)(de)技(ji)(ji)術專家們蒞臨現場(chang)，帶來了最新的(de)(de)技(ji)(ji)術分享。

研討會上，賽(sai)晶半導體技術支持(chi)總監馬(ma)先(xian)奎先(xian)生，發(fa)(fa)表主(zhu)題報(bao)告“電(dian)(dian)動車用功(gong)率(lv)模塊(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)展(zhan)趨勢-從工(gong)業級到汽車級”。介紹了乘(cheng)用車對功(gong)率(lv)模塊(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)(de)技術需求，以及(ji)賽(sai)晶i20 IGBT芯片組、ED封(feng)裝IGBT模塊(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)(de)優勢及(ji)特點，并(bing)展(zhan)示(shi)了面向新(xin)能(neng)(neng)源汽車領域的(de)(de)(de)(de)HEEV封(feng)裝SiC模塊(kuai)(kuai)，以及(ji)面向新(xin)能(neng)(neng)源發(fa)(fa)電(dian)(dian)和(he)(he)工(gong)業電(dian)(dian)控領域的(de)(de)(de)(de)ST封(feng)裝模塊(kuai)(kuai)。這是(shi)繼ED封(feng)裝IGBT模塊(kuai)(kuai)之后(hou)的(de)(de)(de)(de)又一力作(zuo)，也是(shi)賽(sai)晶面對蓬(peng)勃發(fa)(fa)展(zhan)的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)動車市場(chang)做出的(de)(de)(de)(de)積極回應(ying)和(he)(he)對服務(wu)好客戶的(de)(de)(de)(de)意(yi)愿展(zhan)示(shi)。

i20 IGBT芯片，采(cai)用FS-TRENCH結構、多(duo)項(xiang)國際(ji)前沿優化設計，具有低阻(zu)抗短溝道、先進(jin)的3D結構、N-增(zeng)強層，使用TAIKO技術超薄基底、優化的P+設計，以及窄臺面精細圖(tu)案、激(ji)光退(tui)火處理的場(chang)截止(zhi)層和陽極等優勢(shi)，多(duo)項(xiang)國際(ji)前沿優化設計帶來超低導(dao)通(tong)損耗和關斷損耗。

HEEV封(feng)裝SiC模塊是專(zhuan)為實現高(gao)效率(lv)電(dian)(dian)動汽車應用而(er)開發，采(cai)用低(di)損耗的(de)(de)SiC MOSFET芯片，以及壓注模封(feng)裝技術，因而(er)能夠提升對濕度等(deng)惡劣環(huan)境的(de)(de)抵抗力。此外，還采(cai)用燒結、超聲(sheng)波(bo)焊接(jie)等(deng)多種先進的(de)(de)封(feng)裝工藝，無基(ji)底直接(jie)冷卻(已申請專(zhuan)利(li))、鉗橋式結構等(deng)獨(du)特的(de)(de)創新設計；模塊更(geng)小的(de)(de)體(ti)積（體(ti)積降低(di)50%）、更(geng)低(di)的(de)(de)損耗（連接(jie)電(dian)(dian)阻(zu)降低(di)50%）、更(geng)高(gao)的(de)(de)可靠性(xing)(xing)（雜散電(dian)(dian)感降低(di)40%），擁(yong)有高(gao)可靠性(xing)(xing)、良好的(de)(de)可控性(xing)(xing)、相同的(de)(de)額定功率(lv)。

研討會同期展覽，賽(sai)(sai)晶(jing)展出i20 IGBT芯片、d20 FRD芯片、ED封裝(zhuang)模(mo)(mo)塊(kuai)、ST封裝(zhuang)模(mo)(mo)塊(kuai)以及EV封裝(zhuang)模(mo)(mo)塊(kuai)樣品，引發與會技術專(zhuan)家(jia)們廣泛關(guan)注，現場火爆程度超乎預期。許多(duo)與會專(zhuan)業人(ren)士紛(fen)紛(fen)到賽(sai)(sai)晶(jing)展位參觀和咨詢，與現場技術、銷售人(ren)員進行了深入的(de)交流，并對賽(sai)(sai)晶(jing)將推出的(de)新品抱有極大期許。

賽晶展示了自主研發的面向新能源汽車領域的HEEV封裝SiC模塊，以及帶來了賽晶IGBT最新前沿技術。憑借創新的產品理念、國際一流的研發實力、豐富的行業經驗，以及國際頂級的技術專家團隊，賽晶科技及其子公司賽晶半導體在打造自主技術高端 IGBT產品的路上穩步向前，始終致力于為電動汽車、新能源發電、工業電控等市場開發出具有國際一流品質的IGBT芯片和模塊產品。