賽(sai)晶擁有國內稀(xi)缺、國際領先的(de)自主(zhu)芯片技(ji)術(shu)(shu)。芯片產品采(cai)用賽(sai)晶精細溝槽技(ji)術(shu)(shu)、微(wei)溝槽技(ji)術(shu)(shu)以(yi)及碳化硅 (SiC) 技(ji)術(shu)(shu)，涵蓋(gai)中(zhong)壓750V、1200V、1700V 三大電(dian)壓平臺。

旗下IGBT、SiC模塊產品包括：ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、FP封裝IGBT模(mo)塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊，廣泛應用于輸配電、新能源、儲能、交通、工業等領域。

我們的技(ji)術研發團隊，由來自歐洲及國內(nei)在功率半導體領域擁有優(you)秀業績(ji)，及幾(ji)十年(nian)實踐(jian)經(jing)驗的行業領導者組成。

我們的技術(shu)研發團隊，由來自歐洲及國內頂級IGBT、SiC設計和制造等(deng)各個環(huan)節的技術(shu)專(zhuan)家，及在功(gong)率半導體領域擁(yong)有(you)優秀業(ye)績和幾十年實踐(jian)經驗的行業(ye)領導者組成(cheng)。